[发明专利]一种低导通电阻功率半导体器件在审
| 申请号： | 201711007210.3 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107910357A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;戴志刚;吴其祥;叶然;徐志远;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种低导通电阻功率半导体器件，其特征在于，在P型体区内横向设有凹槽且所述凹槽向N型漂移区延伸、经过高压N型区后进入N型漂移区，最终止于浅槽隔离区的边界，在P型体区的表面以及凹槽的底部和侧壁依次注硼、注磷、生长二氧化硅层1和二氧化硅层2，并分别由此形成P型源区、N源型区，隔离氧化层和栅氧化层，在P型源区的表面及N型源区的一部分表面上设有源极金属接触，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅极，所述多晶硅栅极的中间部分向下延伸至凹槽底部的栅氧化层的上表面，所述隔离氧化层将源极金属接触和多晶硅栅极隔开。本发明结构与传统的功率半导体器件相比，在保持较高的击穿电压的同时，能得到极低的导通电阻，并具有较高的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种低导通电阻功率半导体器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)的上方设有高压N型区(2)，在高压N型区(2)内设有N型漂移区(3)和P型体区(4)，在N型漂移区(3)内设有浅槽隔离区(10)和N型漏区(5)，在N型漏区(5)的上方设有漏极金属接触(11)，其特征在于，在P型体区(4)内横向设有凹槽且所述凹槽向N型漂移区(3)延伸、经过高压N型区(2)后进入N型漂移区(3)，最终止于浅槽隔离区(10)的边界，在P型体区(4)的表面以及凹槽的底部和侧壁依次注硼、注磷、生长二氧化硅层1和二氧化硅层2，并分别由此形成P型源区(7)、N源型区(6)，隔离氧化层(13)和栅氧化层(8)，在P型源区(7)的表面及N型源区(6)的一部分表面上设有源极金属接触(12)，在栅氧化层(8)的表面设有多晶硅栅极(9)，所述多晶硅栅极(9)的中间部分向下延伸至凹槽底部的栅氧化层(8)的上表面，所述隔离氧化层(13)将源极金属接触(12)和多晶硅栅极(9)隔开。
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