[发明专利]碳化硅陶瓷及其制备方法和散热片及其应用有效
| 申请号： | 201711008159.8 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107892576B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 黎海华;向其军;谭毅成 | 申请（专利权）人： | 深圳市商德先进陶瓷股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/577 | 分类号： | C04B35/577;C04B35/622;C04B38/00;C22C29/02;C22C1/05;H05K7/20;G06F1/20;H04N5/64 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 潘霞 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅陶瓷及其制备方法和散热片及其应用。该碳化硅陶瓷的制备方法包括如下步骤：将原料混合形成混合料，其中，按照质量百分含量计，原料包括70％～90％的碳化硅、5％～15％的助烧剂和5％～20％填充剂，助烧剂选自二氧化硅、氧化钾、氧化钠、滑石、钾长石及钠长石中的至少一种，填充剂选自铝粉、铜粉、铁粉及氧化锌中的至少一种；将混合料成型，得到生坯；将生坯烧结，得到碳化硅陶瓷。该碳化硅陶瓷的制备方法能够制备得到兼具较好的抗折强度和较好的散热效果的碳化硅陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法 散热片 应用 | ||
【主权项】：
一种碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将原料混合形成混合料，其中，按照质量百分含量计，所述原料包括70％～90％的碳化硅、5％～15％的助烧剂和5％～20％的填充剂，所述助烧剂选自二氧化硅、氧化钾、氧化钠、滑石、钾长石及钠长石中的至少一种，所述填充剂选自铝粉、铜粉、铁粉及氧化锌中的至少一种；将所述混合料成型，得到生坯；及将所述生坯烧结，得到碳化硅陶瓷。
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