[发明专利]功率半导体器件终止结构

摘要

一种功率半导体器件，包括：半导体本体，耦合到功率半导体器件的第一负载端子和第二负载端子并且包括漂移区，漂移区具有第一导电类型的掺杂剂；有源区，具有至少一个功率单元，其至少部分地延伸到半导体本体中并与第一负载端子电连接并且包括所述漂移区的一部分，所述至少一个功率单元被配置为在所述端子之间传导负载电流并阻断施加在所述端子之间的阻断电压；边缘，其横向地终止半导体本体；以及非有源终止结构，布置在边缘和有源区中间。终止结构包括：在半导体本体中实现的至少一个掺杂半导体区；安装在布置在半导体本体的表面上面的绝缘体块上的导体结构；以及将导体结构与第一负载端子的电位电耦合的欧姆路径，欧姆路径布置在表面上面。

主权项

一种功率半导体器件（1），包括：‑ 半导体本体（10），耦合到所述功率半导体器件（1）的第一负载端子（11）和第二负载端子（12），并且包括漂移区（100），所述漂移区（100）具有第一导电类型的掺杂剂；‑ 有源区（16），具有至少一个功率单元（14），所述至少一个功率单元（14）至少部分地延伸到所述半导体本体（10）中并与所述第一负载端子（11）电连接并且包括所述漂移区（100）的一部分，所述至少一个功率单元（14）被配置为在所述端子（11、12）之间传导负载电流，并且阻断施加在所述端子（11、12）之间的阻断电压；‑ 边缘（19），其横向地终止所述半导体本体（10）；‑ 非有源终止结构（18），布置在所述边缘（19）和所述有源区（16）中间，所述终止结构（18）包括：‑ 在所述半导体本体（10）中实现的至少一个掺杂半导体区（181、182、183），其中，所述至少一个掺杂半导体区包括：（i）具有第二导电类型的掺杂剂的第一阱（181），所述第一阱（181）电连接到所述第一负载端子（11），并且与其横向重叠，以及（ii）具有第二导电类型的掺杂剂的第二阱（182），其中，所述第二阱（182）中的掺杂剂浓度在横向方向上变化；‑ 导体结构（189），安装在布置在所述半导体本体（10）的表面（10‑1）上面的绝缘体块（188）上，其中，所述导体结构（189）包括彼此横向相邻布置的导体（1891、1892），其中，所述第二阱（182）的第一区段（1821）与所述导体中的第一导体（1891）横向重叠，并且所述第二阱（182）的第二区段（1822）与所述导体中的第二导体（1892）横向重叠；以及‑ 欧姆路径（187），其将所述导体结构（189）与所述第一负载端子（11）的电位电耦合，所述欧姆路径（187）布置在所述表面（10‑1）上面。