[发明专利]背沟道蚀刻型氧化物半导体TFT基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种背沟道蚀刻型氧化物半导体TFT基板及其制作方法。本发明的背沟道蚀刻型氧化物半导体TFT基板的制作方法将有源层设置为双层结构，位于下层的第一氧化物半导体层按照正常沉积工艺参数制备，具有正常密度，位于上层的第二氧化物半导体层通过改变沉积工艺参数制备，具有较高密度；所述第一氧化物半导体层的密度较低，具有较高的迁移率，所述第二氧化物半导体层的密度较高，薄膜缺陷数目少，具有较强的抗蚀刻能力，能够减少在漏极和源极的蚀刻过程中有源层的沟道区受到的损伤，同时节省了刻蚀阻挡层光罩，制作成本低。

主权项

一种背沟道蚀刻型氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积金属材料并刻蚀形成栅极(20)，在所述衬底基板(10)上形成覆盖栅极(20)的栅极绝缘层(30)；在所述栅极绝缘层(30)上沉积第一氧化物半导体层(401)，在所述第一氧化物半导体层(401)上沉积第二氧化物半导体层(402)，所述第二氧化物半导体层(402)的密度大于所述第一氧化物半导体层(401)的密度；对所述第一氧化物半导体层(401)与第二氧化物半导体层(402)进行图形化处理，得到有源层(40)；在所述有源层(40)与栅极绝缘层(30)上沉积金属材料并刻蚀形成漏极(51)与源极(52)，所述漏极(51)与源极(52)分别与有源层(40)的两侧相接触；在所述栅极绝缘层(30)上形成覆盖漏极(51)、源极(52)、及有源层(40)的钝化层(60)；在所述钝化层(60)上形成对应于漏极(51)上方的通孔(61)。