[发明专利]半导体封装系统整合装置及其制造方法

摘要

本申请涉及半导体封装领域，公开了一种半导体封装系统整合装置及其制造方法。装置可以包括：重布线层，包含第一扇入焊盘及第二扇入焊盘、中间焊盘、及扇入线路，扇入线路连接第一扇入焊盘与第二扇入焊盘并连接至中间焊盘；安装在重布线层的第一表面上的处理器芯片与存储器芯片堆栈体；形成在重布线层上的塑封料，塑封料至少密封处理器芯片的侧边及存储器芯片堆栈体的侧边；形成在重布线层的第二表面上线路薄膜，线路薄膜具有电连接中间焊盘的扇出线路及与扇出线路电连接的端子焊盘，线路薄膜实质覆盖于所述重布线层的所述第二表面，以组成复合式芯片载体；以及植接在端子焊盘上的焊球。

主权项

1.一种半导体封装系统整合装置，其特征在于，包括：重布线层，包含在第一表面的第一扇入焊盘及第二扇入焊盘、在第二表面的中间焊盘、及扇入线路，所述扇入线路连接所述第一扇入焊盘与所述第二扇入焊盘并连接至所述中间焊盘，以所述重布线层的介电层的隔离以及所述中间焊盘的中央部往所述第二表面浮凸的方式，所述第二表面仅显露所述中间焊盘而不显露所述扇入线路；处理器芯片与存储器芯片堆栈体，安装在所述重布线层的所述第一表面上，所述处理器芯片接合至所述第一扇入焊盘，所述存储器芯片堆栈体接合至所述第二扇入焊盘，并经由所述扇入线路互相电连接所述处理器芯片与所述存储器芯片堆栈体；塑封料，形成在所述重布线层上，所述塑封料至少密封所述处理器芯片的侧边及所述存储器芯片堆栈体的侧边；线路薄膜，以紧贴附的方式形成在所述重布线层的所述第二表面上，其中所述线路薄膜具有电连接所述中间焊盘的扇出线路及与所述扇出线路电连接的端子焊盘，所述线路薄膜实质覆盖于所述重布线层的所述第二表面，以组成复合式芯片载体，所述线路薄膜的所述扇出线路的线宽/线距大于所述重布线层的所述扇入线路的线宽/线距；以及焊球，植接在所述端子焊盘上。