[发明专利]晶片的加工方法有效

专利信息
申请号: 201711011997.0 申请日: 2017-10-26
公开(公告)号: CN108022876B 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 山下阳平;小幡翼;小川雄辉 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 于靖帅;乔婉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供晶片的加工方法,该方法至少包含如下的工序:保护带粘贴工序,在晶片(10)的正面(10a)上配设粘贴力因紫外线的照射而降低的保护带(16);背面磨削工序,将保护带侧保持在卡盘工作台(21)上,对晶片的背面(10b)进行磨削而使其薄化;切削槽形成工序,从晶片的背面将切削刀具(33)定位成与分割预定线(12)对应而形成未达到正面的切削槽(100);切断工序,从晶片的背面沿着切削槽照射激光光线而将分割预定线完全切断;紫外线照射工序,对粘贴于晶片的正面的保护带照射紫外线(V)而使粘贴力降低;框架支承工序,在晶片的保护带侧粘贴粘合带(T)并且将粘合带的外周粘贴在具有收纳晶片的开口部的框架(F)上,借助粘合带而利用框架对晶片进行支承;和拾取工序,从晶片拾取各个器件(14)。
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【主权项】:
1.一种晶片的加工方法,将由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件,其中,该晶片的加工方法至少包含如下的工序:保护带粘贴工序,在晶片的正面上配设保护带,该保护带的粘贴力因紫外线的照射而降低;背面磨削工序,将该保护带侧保持在卡盘工作台上,对该晶片的背面进行磨削而使该晶片薄化;切削槽形成工序,从该晶片的背面与分割预定线对应地定位切削刀具而形成未达到正面的切削槽;切断工序,从该晶片的背面沿着该切削槽照射激光光线而将该分割预定线完全切断;紫外线照射工序,对粘贴于该晶片的正面的该保护带照射紫外线而使粘贴力降低;框架支承工序,在该晶片的该保护带侧粘贴粘合带并且将该粘合带的外周粘贴在具有收纳该晶片的开口部的框架上,从而借助该粘合带而利用该框架对该晶片进行支承;以及拾取工序,从该晶片拾取各个器件。
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