[发明专利]一种微型薄膜外延结构层转移方法

摘要

本发明提供一种微型薄膜外延结构层转移方法，包括如下步骤：制作外延层‑制作磁性金属层‑制作粘合层‑形成外延层单元结构‑去除掩膜层‑转移到中转基板上‑剥离衬底‑转移到吸头上‑转移到基板上‑布线；本发明通过磁性中转基板和具有磁性的转移吸头，可以实现LED薄膜外延层周期性、批量化的转移至基板上，进一步实现单色、双色、全彩的柔性显示。

主权项

一种微型薄膜外延结构层转移方法，其特征是，包括如下步骤：步骤一. 制作外延层：提供一蓝宝石衬底（1），在所述蓝宝石衬底（1）上依次生长N‑GaN层（2）、MQW发光层（3）、P‑GaN层（4），完成GaN外延层（11）的制作；步骤二. 制作磁性金属层（5）：利用电子束蒸镀或磁控溅射技术，在GaN外延层（11）上表面制作磁性金属层（5）；步骤三. 制作粘合层（6）：利用旋涂或喷淋技术，在磁性金属层（5）表面制作粘合层（6）；步骤四. 形成外延层单元结构：在粘合层（6）表面制作有图形的掩膜层，利用湿法腐蚀液将非掩膜区域的粘合层（6）和磁性金属层（5）去除，再利用ICP刻蚀工艺，将非掩膜区域的GaN外延层刻蚀掉，形成若干个独立的外延层单元结构；步骤五. 去除掩膜层：通过湿法去胶液将掩膜层去除；步骤六. 转移到中转基板上：在粘合层（6）表面，利用磁性金属层（5）的电磁力将GaN外延层（11）与磁性中转基板（7）连接，形成临时键合；步骤七. 剥离衬底：利用激光剥离技术，将蓝宝石衬底（1）与GaN外延层分离，使得若干个独立的外延层单元结构转移到磁性中转基板（7）上；步骤八. 转移到吸头上：采用具有磁性的转移吸头（8）吸住外延层单元结构的下表面，将磁性中转基板（7）上的外延层单元结构与磁性中转基板（7）分离；步骤九. 转移到基板（10）上：将转移吸头（8）上的若干个独立的外延层单元结构与基板（10）对位热压，通过粘合层（6）将若干个独立的外延层单元结构粘到基板（10）上，完成GaN薄膜外延层的转移；步骤十. 布线：通过光刻、蒸镀、刻蚀工艺，在基板（10）上制作横向和纵向线路，用于柔性显示屏中各像素点的信号控制。