[发明专利]一种超级结器件及制造方法在审
| 申请号： | 201711013807.9 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109713038A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路制造技术领域，提供了一种超级结器件及制造方法，本发明提供的超级结器件包括了半导体衬底、外延层、漂移区、多个超级结P柱、源区、沟道区、离子注入区、氧化物层、多晶硅栅极；所述超级结P柱为多段结构，包括多个第一超级结P柱和多个第二超级结P柱，所述第一超级结P柱与所述沟道区接触，相邻所述第一超级结P柱之间具有第一P柱距离，所述第二超级结P柱与所述外延层接触，相邻所述第二超级结P柱之间具有第二P柱距离，所述第一P柱距离小于所述第二P柱距离，本发明还提供了超级结器件的制造方法，通过设置相邻超级结P柱间的距离不同，降低了超级结器件的比导通电阻，提升了超级结器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 超级结 超级结器件 沟道区 外延层 集成电路制造技术 制造 比导通电阻 多晶硅栅极 离子注入区 多段结构 氧化物层 漂移区 衬底 源区 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种超级结器件，其特征在于，至少包括：半导体衬底、外延层、漂移区、超级结P柱、源区、沟道区、离子注入区、氧化物层、多晶硅栅极；所述超级结P柱为多段结构，包括多个第一超级结P柱和多个第二超级结P柱，所述第一超级结P柱与所述沟道区接触，相邻所述第一超级结P柱之间具有第一P柱距离，所述第二超级结P柱与所述外延层接触，相邻所述第二超级结P柱之间具有第二P柱距离，所述第一P柱距离小于所述第二P柱距离。
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