[发明专利]一种浸泡法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法在审
申请号: | 201711014605.6 | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN108054294A | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 张余宝;常春;张芹;李清华;张振威;李凤 | 申请(专利权)人: | 南昌航空大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人: | 刘凌峰 |
地址: | 330063 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种利用浸泡法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法,并将其作为发光层应用到QLED发光二极管中。所述过渡金属氧化物/量子点体异质结,是现在导电玻璃上制备好空穴注入与传输层和过渡金属氧化物骨架后,再制备过渡金属氧化物/量子点体异质结,制作过程包括将多孔过渡金属氧化物骨架不断地放在量子点原液中浸泡、冲洗,确保量子点材料在过渡金属氧化物孔隙内均匀填充且结合紧密,然后经过干燥,得到金属氧化物/量子点体异质结。本发明的优点是:具有制备工艺简单、重复性好等优点。相比旋涂法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结具有极大的提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 浸泡 法制 过渡 金属 氧化物 量子 点体异质结 方法 | ||
【主权项】:
1.一种浸泡法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法,其特征在于:将多孔过渡金属氧化物薄膜及其基体放入量子点原液中,经过较长时间的浸泡,量子点材料充分浸入金属氧化物薄膜的孔隙内;取出后用正己烷冲洗,再浸泡到量子点原液中,再用正己烷冲洗,重复若干次,确保量子点材料在过渡金属氧化物孔隙内均匀填充且结合紧密,然后经过干燥,得到金属氧化物/量子点体异质结,将其应用到发光二极管中,二极管设有透明导电电极的玻璃基底、空穴注入与传输层,过渡金属氧化物/量子点体异质结发光层、电子注入与传输层、金属对电极;电极、电子注入与传输层、过渡金属氧化物/量子点体异质结量子点发光层、空穴注入与传输层、ITO透明电极、玻璃基底由上向下依次连接,电极位于顶部,玻璃基底位于底部,电源正极穿透玻璃基底与导电玻璃相连接,电源负极与电极相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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