[发明专利]声表面滤波器的晶圆封装结构和制作工艺

摘要

本发明提供一种声表面滤波器的晶圆封装结构，包括基体，基体的正面设有绝缘层，基体正面的绝缘层上沉积有压电材料；在压电材料上制作有输入输出端口；输入输出端口被基体正面设置的粘胶包覆；盖板键合至基体正面，盖板压在粘胶之上；盖板与基体正面的压电材料之间形成空腔；基体的背面形成有斜坡，且形成通到输入输出端口的盲孔；在盲孔侧壁、斜坡上和基体背面沉积有绝缘层和种子层；在种子层上电镀有金属线路，金属线路连接基体正面的输入输出端口，并通过斜坡延伸至基体背面；在基体背面的背面钝化层上形成开口，开口处制作与金属线路连接的封装电连接单元。本发明可减小成本，以及降低制作时的工艺难度。

主权项

一种声表面滤波器的晶圆封装结构的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，提供晶圆作为基体(1)，先在基体(1)正面沉积绝缘层(2)，然后在基体(1)正面的绝缘层(2)上沉积压电材料(3)；接着在压电材料(3)上制作输入输出端口(4)；步骤S2，在基体(1)正面采用粘胶(5)将输入输出端口(4)覆盖，各处的粘胶(5)厚度一致；将盖板(6)键合至基体(1)正面，盖板(6)压在粘胶(5)之上；盖板(6)与基体(1)正面的压电材料(3)之间形成空腔(7)；然后将基体(1)减薄到所需厚度；步骤S3，在基体(1)背面输入输出端口(4)的下方刻蚀斜坡(8)，形成漏斗形开口(801)；步骤S4，通过所述漏斗形开口(801)，对基体(1)正面的绝缘层(2)和压电材料(3)进行刻蚀，形成通到输入输出端口(4)的盲孔(9)；步骤S5，先在盲孔(9)侧壁、斜坡(8)上和基体(1)背面沉积绝缘层(2)和种子层，然后电镀金属线路(10)；金属线路(10)连接基体(1)正面的输入输出端口(4)，并通过斜坡(8)延伸至基体(1)背面；然后在盲孔(9)中、斜坡(8)上和基体(1)背面制作覆盖金属线路(10)的背面钝化层(11)；并在基体(1)背面的背面钝化层(11)上形成开口，开口处制作与金属线路(10)连接的封装电连接单元(12)。