[发明专利]制备多晶硅层的方法、多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板以及显示装置有效
| 申请号： | 201711020536.X | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107768236B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 王景帅 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了制备多晶硅层的方法、多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板以及显示装置。所述制备多晶硅层的方法包括：形成非晶硅层，所述非晶硅层的第一表面上设置有多个彼此交替的凸起部和凹槽部；对所述非晶硅层进行准分子激光退火处理，得到预制多晶硅层；对所述预制多晶硅层进行图案化处理，得到多晶硅层，其中，与所述凹槽部对应的所述非晶硅层在所述准分子激光的作用下可以完全熔融，与所述凸起部对应的所述非晶硅层在所述准分子激光的作用下部分熔融。发明人发现，凸起部中未熔融部分可以作为子晶，从而引导熔融部分沿着预定的结晶方向生长，从而获得的多晶硅晶粒生长方向一致且晶粒尺寸较大。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 多晶 方法 薄膜晶体管 及其 阵列 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种制备多晶硅层的方法，其特征在于，包括：形成非晶硅层，所述非晶硅层的第一表面上设置有多个彼此交替的凸起部和凹槽部；对所述非晶硅层进行准分子激光退火处理，得到预制多晶硅层；对所述预制多晶硅层进行图案化处理，得到多晶硅层，其中，与所述凹槽部对应的所述非晶硅层在所述准分子激光的作用下可以完全熔融，与所述凸起部对应的所述非晶硅层在所述准分子激光的作用下部分熔融。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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