[发明专利]阵列基板的制作方法在审
申请号: | 201711020629.2 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN107799473A | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 王丽 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;G02F1/1333 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种阵列基板的制作方法。所述阵列基板的制作方法包括步骤提供基板;形成设置在基板的一侧的薄膜晶体管;形成覆盖薄膜晶体管的平坦层;形成覆盖平坦层的光阻层;提供光罩,光罩上设置有对应于平坦层周边区域的若干条凹槽图案,凹槽图案包括条状结构和多个凸起结构,条状结构用于在平坦层上形成凹槽,条状结构包括相对设置的第一侧面和第二侧面,凸起结构用于优化凹槽的坡角,凸起结构包括相对设置的第一平面和第二平面,第一平面贴合第一侧面和第二侧面设置,凸起结构的宽度自第一平面向第二平面逐渐减小;利用光罩对平坦层进行曝光,以在平坦层的周边区域形成坡角在预设角度范围的凹槽。本发明有助于减小平坦层上凹槽的坡角。 | ||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述阵列基板的制作方法包括步骤:提供基板;形成设置在所述基板的一侧的薄膜晶体管;形成覆盖所述薄膜晶体管的平坦层;形成覆盖所述平坦层的光阻层;提供光罩,所述光罩上设置有对应于所述平坦层周边区域的若干条凹槽图案,所述凹槽图案包括条状结构和多个凸起结构,所述条状结构用于在所述平坦层上形成凹槽,所述条状结构包括相对设置的第一侧面和第二侧面,所述凸起结构用于优化所述凹槽的坡角,所述凸起结构包括相对设置的第一平面和第二平面,所述第一平面贴合所述第一侧面和所述第二侧面设置,所述凸起结构的宽度自所述第一平面向所述第二平面逐渐减小;利用所述光罩对所述平坦层进行曝光,以在所述平坦层的周边区域形成坡角在预设角度范围的凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造