[发明专利]低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711021284.2 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107640970B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 杨祖培;彭惠;梁朋飞;晁小练 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;C04B35/46;C04B35/622 |
| 代理公司： | 61201 西安永生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 高雪霞<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为(Ag1/4Nb3/4)xTi1‑xO2，其中x表示摩尔分数，x的取值为0.005～0.01。本发明陶瓷材料的制备方法简单、重复性好、成品率高，通过在Nb单掺的二氧化钛基陶瓷材料中引入金属元素Ag，使陶瓷材料在频率为40～106Hz范围内具有高介电常数(＞104)、低介电损耗(＜0.09)，尤其是显著降低了陶瓷材料的低频介电损耗，在40～103Hz频率范围内介电损耗始终保持在0.06以下，同时具有优异的频率及温度稳定性，保持在‑10％～10％之间，符合陶瓷电容器的参数要求，具有巨大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 低频 低介电 损耗 agnb 共掺二 氧化 钛基介电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料，其特征在于：该陶瓷材料的通式为(Ag1/4Nb3/4)xTi1-xO2，其中x的取值为0.005～0.01；该陶瓷材料由下述方法制备得到：/n（1）按照(Ag1/4Nb3/4)xTi1-xO2的化学计量分别称取纯度为99.5%以上的原料Ag2O、Nb2O5和TiO2，充分混合球磨16～24小时，在80～100℃下干燥12～24小时，得到原料混合物；/n（2）将原料混合物在1000～1200℃预烧2～4小时，得到预烧粉；/n（3）将预烧粉经二次球磨、造粒、压片、排胶后，在1400～1450℃烧结5～10小时， 得到低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料。/n
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