[发明专利]氮化硅薄膜的沉积方法、氮化硅薄膜及PERC电池

摘要

本发明公开了一种氮化硅薄膜的沉积方法、氮化硅薄膜及PERC电池。该沉积方法包括将背面沉积有氧化铝薄膜的硅基体置于反应装置中，先后采用第一微波源、第二微波源、第三微波源、第四微波源、第五微波源和第六微波源进行氮化硅薄膜的沉积，经沉积工艺处理后，在氧化铝薄膜上制备得到氮化硅薄膜。该氮化硅薄膜兼具高全反射功能和高致密性。本发明制备的氮化硅薄膜主要用作PERC电池的背面氮化硅薄膜。本发明的方法使得在不减少PERC电池转换效率的前提下，可将氮化硅薄膜的厚度降低至75纳米甚至以下，从而提高设备产能，扩展工艺窗口。

主权项

1.一种氮化硅薄膜的沉积方法，所述氮化硅薄膜为用于PERC电池的背面氮化硅薄膜，所述沉积方法包括以下步骤：将背面沉积有氧化铝薄膜的硅基体置于反应装置中，控制压力为0.15mbar～0.30mbar，温度为300℃～400℃，传送速度为180cm/min～240cm/min，先后采用第一微波源、第二微波源、第三微波源、第四微波源、第五微波源和第六微波源进行氮化硅薄膜的沉积，各微波源均设有左微波发生器和右微波发生器，各微波源的工艺参数设置如下：采用第一微波源时，左微波功率为3200W～4200W，右微波功率为3200W～4200W，通入硅烷的流量为250sccm～300sccm，通入氨气的速率为850sccm～950sccm；采用第二微波源时，左微波功率为3000W～4000W，右微波功率为3000W～4000W，通入硅烷的流量为225sccm～275sccm，通入氨气的速率为825sccm～925sccm；采用第三微波源时，左微波功率为3000W～4000W，右微波功率为3000W～4000W，通入硅烷的流量为175sccm～275sccm，通入氨气的速率为800sccm～900sccm；采用第四微波源时，左微波功率为3000W～4000W，右微波功率为3000W～4000W，通入硅烷的流量为150sccm～250sccm，通入氨气的速率为800sccm～900sccm；采用第五微波源时，左微波功率为3000W～4000W，右微波功率为3000W～4000W，通入硅烷的流量为150sccm～250sccm，通入氨气的速率为800sccm～900sccm；采用第六微波源时，左微波功率为3000W～4000W，右微波功率为3000W～4000W，通入硅烷的流量为175sccm～275sccm，通入氨气的速率为825sccm～925sccm；经上述沉积工艺处理后，在所述氧化铝薄膜上制备得到氮化硅薄膜。