[发明专利]用于列级ADC架构CMOS图像传感器的高速数据读出电路有效
| 申请号： | 201711025224.8 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107734273B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 吴治军;李梦萄;刘昌举;李毅强;张靖 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H04N5/3745 | 分类号： | H04N5/3745;H04N5/378 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于列级ADC架构CMOS图像传感器的高速数据读出电路，包括多位数据读出电路，针对每位数据读出电路中每列第一数据读出电路，其第一MOS管的栅极和反相器的输入端连接对应列SR存储器的对应位输出端，源极接地，漏极连接第三MOS管的源极，反相器的输出端连接第二MOS管的栅极，第二MOS管的源极接地，漏极连接第四MOS管的源极，第三MOS管和第四MOS管的栅极连接垂直寻址电路输出的对应列选通信号，第三MOS管的漏极通过对应第一寄生电容和第一寄生电阻、第一跨阻放大器连接电压放大器的负输入端，第四MOS管的漏极通过对应的第二寄生电容和第二寄生电阻、第二跨阻放大器连接电压放大器的正输入端，电压放大器的输出端读出信号。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 adc 架构 cmos 图像传感器 高速 数据 读出 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于列级ADC架构CMOS图像传感器的高速数据读出电路，其特征在于，包括多位数据读出电路，每位数据读出电路都包括多列第一数据读出电路和一个第二数据读出电路，每列第一数据读出电路都包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和反相器，所述第一MOS管的栅极连接列级ADC架构CMOS图像传感器中对应列SR存储器的对应位输出端，源极接地，漏极连接所述第三MOS管的源极，所述反相器的输入端连接所述对应列SR存储器的对应位输出端，输出端连接所述第二MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极接地，漏极连接所述第四MOS管的源极，所述第三MOS管和第四MOS管的栅极连接所述列级ADC架构CMOS图像传感器中垂直寻址电路输出的对应列选通信号，所述第三MOS管和所述第四MOS管的漏极分别作为该列第一数据读出电路的第一输出端和第二输出端；每位数据读出电路的第二数据读出电路均包括第一跨阻放大器、第二跨阻放大器和电压放大器，该位数据读出电路中每列所述第一数据读出电路的第一输出端都通过对应的第一寄生电容和对应的第一寄生电阻与所述第一跨阻放大器的输入端连接，所述第一跨阻放大器的输出端与所述电压放大器的负输入端连接；每列所述第一数据读出电路的第二输出端都通过对应的第二寄生电容和对应的第二寄生电阻与所述第二跨阻放大器的输入端连接，所述第二跨阻放大器的输出端与所述电压放大器的正输入端连接，所述电压放大器的输出端用于读出对应位信号。
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