[发明专利]一种共轴三维受激辐射损耗超分辨显微成像方法和装置有效
| 申请号： | 201711025463.3 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107941763B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 匡翠方;刘少聪;刘文杰;陈友华;朱大钊;刘旭;李海峰;张克奇;毛磊 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种共轴三维受激辐射损耗超分辨显微成像方法，包括步骤：1)激发光和损耗光合束后，调制为线偏振光并调整线偏振方向；2)利用空间光调制器加载的0‑2π涡旋位相板和0‑π位相板同时对激发光和损耗光进行两次调制；损耗光一部分光调制成为横向的空心光斑，另一部分调制成为轴向的空心光斑；3)将激发光偏振调成圆偏光且旋向和涡旋位相板的旋向相反，损耗光偏振态转化为圆偏光且旋向与涡旋位相板的旋向相同；4)利用激发光和损耗光聚焦至样品上，激发光为实心光斑，损耗光为空心光斑，并分别激发和损耗样品发出的信号光；5)收集信号光，得到对应到样品扫描点的显微图像。本发明还公开一种共轴三维受激辐射损耗超分辨显微成像装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 辐射 损耗 分辨 显微 成像 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种共轴三维受激辐射损耗超分辨显微成像方法，其特征在于，包括步骤：1)激发光和损耗光合束后，调制为线偏振光并调整线偏振方向；2)利用空间光调制器加载的0‑2π涡旋位相板和0‑π位相板同时对激发光和损耗光进行两次调制；所述的损耗光一部分光调制成为横向的空心光斑，另一部分调制成为轴向的空心光斑；3)将所述的激发光偏振调成圆偏光且旋向和涡旋位相板的旋向相反，所述的损耗光偏振态转化为圆偏光且旋向与涡旋位相板的旋向相同；4)利用所述的激发光和损耗光聚焦至样品上，激发光为实心光斑，损耗光为空心光斑，并分别激发和损耗样品发出的信号光；5)收集所述的信号光，得到对应到样品扫描点的显微图像。
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