[发明专利]具有混合导电模式的横向功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201711026475.8 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107808899B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 张金平;崔晓楠;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有混合导电模式的横向功率器件及其制备方法，包括P型衬底、埋氧化层、N型漂移区、P型基区、N型缓冲区、N型源区、P型接触区、P型集电极区、发射极、集电极、栅介质层、栅电极，N型漂移区表面具有N型条和P型条，N型条和P型条在器件漂移区表面垂直于沟道长度方向相间排列，N型条和P型条下方漂移区中具有P型RESURF层；N型条、P型条和P型RESURF层三者与N型缓冲区之间具有介质槽结构；N型条和P型条的浓度大于N型漂移区的浓度；介质槽结构的深度不小于N型条、P型条和P型集电极区的深度；本发明实现了表面SJ‑LDMOS与LIGBT的混合导电，可以获得更低的导通压降，更高的耐压，更快的开关速度，更低的关断损耗，并消除了snapback效应，大大提升了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 混合 导电 模式 横向 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有混合导电模式的横向功率器件，包括从下至上依次设置的P型衬底(1)，埋氧化层(2)和N型漂移区(3)；所述N型漂移区(3)内部一端设有P型基区(4)，另一端设有N型缓冲区(8)；所述P型基区(4)内部上方设有N型源区(5)和P型接触区(6)，所述N型缓冲区(8)内部上方设有P型集电极区(9)；所述P型接触区(6)和部分N型源区(5)上方具有发射极(10)；所述P型集电极区(9)部分上表面具有集电极(12)；所述P型基区(4)上方还设置有栅介质层(7)，所述栅介质层(7)上方具有栅电极(11)，所述栅介质层(7)和栅电极(11)组成的栅极结构的长度大于P型基区(4)表面的长度，栅极结构两端分别与N型源区(5)上表面和N型漂移区(3)上表面相接触；其特征在于：所述N型漂移区(3)表面具有N型条(13)和P型条(14)，所述N型条(13)和P型条(14)在器件漂移区表面垂直于沟道长度方向相间排列，所述N型条(13)和P型条(14)下方漂移区中具有P型RESURF层(16)；所述N型条(13)、P型条(14)和P型RESURF层(16)三者与N型缓冲区(8)之间具有介质槽结构(17)；所述N型条(13)在靠近介质槽结构(17)一侧上表面具有电极(15)，所述电极(15)与集电极(12)相连；所述N型条(13)和P型条(14)的浓度大于所述N型漂移区(3)的浓度；所述介质槽结构(17)的深度不小于N型条(13)、P型条(14)和P型集电极区(9)的深度。
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