[发明专利]一种LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201711027110.7 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107799635A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 邬新根;刘英策;刘兆;李俊贤;吴奇隆 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED芯片电极结构及其制造方法，该LED芯片电极包括外延层、透明导电层、电流阻挡层以及电极，其中，外延层置于衬底之上，透明导电层设置在外延层上。电流阻挡层设置在透明导电层上，电极设置在电流阻挡层上，且，电极的面积大于电流阻挡层的面积。相较传统结构，本设计方案电流阻挡层面积小于电极面积，避免了低折射率电流阻挡层夹在高折射率的氮化镓与透明导电层之间而影响光出射效率，能够提升芯片外量子效率。同时由于电流阻挡层图形与电极图形相近，可以使用多层沉积的方式实现电极与电流阻挡层同一道光刻制作图形，降低芯片制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片电极结构，其特征在于，包括：衬底；外延层，设置在所述的衬底上；透明导电层，设置在所述外延层上；电流阻挡层，设置在所述透明导电层上；电极，设置在所述电流阻挡层上，且，所述电极在所述衬底上的投影面积大于所述电流阻挡层在所述衬底上的投影面积。
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