[发明专利]一种紫外LED及其制作方法有效
| 申请号： | 201711027161.X | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107799636B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 卓祥景;汪洋;孙传平;邓群雄;万志 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外LED及其制作方法，本发明技术方案中，设置p型空穴注入层包括多个在第一方向上层叠设置的超晶格层周期单元；所述超晶格层周期单元包括：一层氮化铝层，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，所述氮化镁层以及所述氮化镓层均位于所述氮化铝层背离所述衬底的一侧，所述氮化镁层在所述第一方向上相对的两个表面中至少一个表面与一层所述氮化镓层相邻。氮化镁层的两侧表中至少一个表面与一层氮化镓层相邻，通过这种设置，可以使得Mg原子周围分布更多的Ga原子，可以显著降低Mg受主的激活能，从而提高p型掺杂的AlXGa1‑XN材料中空穴浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种紫外LED的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成n型电子注入层；在所述n型电子注入层表面形成多量子阱有源层；在所述多量子阱有源层表面形成电子阻挡层；在所述电子阻挡层表面形成p型空穴注入层；所述p型空穴注入层包括多个在第一方向上层叠设置的超晶格层周期单元；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述p型空穴注入层；其中，所述超晶格层周期单元包括：一层氮化铝层，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，所述氮化镁层以及所述氮化镓层均位于所述氮化铝层背离所述衬底的一侧，所述氮化镁层在所述第一方向上相对的两个表面中至少一个表面与一层所述氮化镓层相邻；所述超晶格层周期单元具有至少两层氮化镓层和/或至少两层氮化镁层，所述氮化镓层和所述氮化镁层在所述第一方向上交替排布。
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