[发明专利]一种氧化物原位包覆二硼化锆-碳化硅团聚粉体的方法有效
| 申请号： | 201711027516.5 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107814589B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 柳彦博;马壮;郭嘉仪;孙世杰;王皓;张贺;王乙瑾 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87;C04B35/58;C04B35/628;C04B35/626 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 杨志兵;仇蕾安 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化物原位包覆二硼化锆‑碳化硅团聚粉体的方法，属于复合粉体材料技术领域。所述方法是利用二硼化锆‑碳化硅团聚粉体在高温氧化环境下自氧化生成的氧化物实现对二硼化锆‑碳化硅团聚粉体原位包覆，制备得到具有核壳结构的复合粉体。采用所述方法制备的具有核壳结构的氧化物包覆二硼化锆‑碳化硅的球形度和致密度高，满足等离子喷涂对于粉体的要求；自氧化生成的氧化物包覆层可以抑制等离子喷涂过程中碳化硅的挥发，降低碳化硅的损失，而且氧化物的熔点低于硼化锆，粉体可以熔融的更加充分，进一步填充涂层中片层搭接造成的间隙、空位等缺陷，提高涂层的致密性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 原位 包覆二硼化锆 碳化硅 团聚 方法 | ||
【主权项】：
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