[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板有效
| 申请号： | 201711027663.2 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107845674B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 陈琳;钱海蛟;杨成绍;栾梦雨 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/417;H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 汪源;陈源 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板，包括：设置于衬底基板上的栅极、第一有源层、第二有源层、第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，第一有源层位于栅极朝向衬底基板的一侧，第二有源层位于栅极背向第一有源层的一侧，第一源极与第一漏极位于第一有源层背向栅极的一侧且均与第一有源层连接，第二源极与第二漏极位于第二有源层背向栅极的一侧且均与第二有源层连接；第一漏极和第二漏极的平行于衬底基板的截面形状均为环形，第一漏极环绕第一源极，第二漏极环绕第二源极；第一源极与第二源极电连接，第一漏极与第二漏极电连接。本发明的技术方案可在减小薄膜晶体管的尺寸的同时，还能提升薄膜晶体管在饱和区输出电流的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：设置于衬底基板上的栅极、第一有源层、第二有源层、第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，所述第一有源层位于所述栅极朝向所述衬底基板的一侧，所述第二有源层位于所述栅极背向所述第一有源层的一侧，所述第一源极与所述第一漏极位于所述第一有源层背向所述栅极的一侧且均与所述第一有源层连接，所述第二源极与所述第二漏极位于所述第二有源层背向所述栅极的一侧且均与所述第二有源层连接；所述第一漏极和所述第二漏极的平行于所述衬底基板的截面形状均为环形，所述第一漏极环绕所述第一源极，所述第二漏极环绕所述第二源极；所述第一源极与所述第二源极电连接，所述第一漏极与所述第二漏极电连接。
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