[发明专利]粘合带切断方法和粘合带切断装置在审
| 申请号： | 201711029697.5 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN108000592A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 奥野长平 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | B26D3/10 | 分类号： | B26D3/10;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供粘合带切断方法和粘合带切断装置，在形成有凹口的半导体晶圆的粘合带切断处理中，能够抑制半导体晶圆的损伤、刀尖的早期损耗并沿着凹口形状适宜地切下粘合带。在将刀尖(25a)调整为方向(D1)之后，使切刀(25)在开口端(E1)刺穿粘合带(T)。之后，将刀尖(25a)的朝向维持为方向(D1)，并沿着倾斜(N1)直至凹口的最深部(F)为止地切断粘合带(T)。将切刀(25)自粘合带(T)抽出并将刀尖调整为方向(D2)，使切刀(25)在开口端(E2)刺穿粘合带(T)。之后，将刀尖(25a)的朝向维持为方向(D2)，并沿着倾斜(N2)直至凹口的最深部(F)为止地切断粘合带(T)。 | ||
| 搜索关键词： | 粘合 切断 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种粘合带切断方法，使切刀沿着形成有具有一侧倾斜和另一侧倾斜的V形状的凹口的半导体晶圆的外周相对移动，沿着半导体晶圆的外形切断被粘贴于半导体晶圆的表面的粘合带，其特征在于，该粘合带切断方法包括以下工序：第1调整工序，在将所述切刀自所述粘合带抽出的状态下，将所述切刀的刀尖的方向调整为自所述半导体晶圆的径向外侧朝向内侧的第1方向；第1切断工序，使刀尖被调整为所述第1方向的所述切刀刺穿所述粘合带，在将所述切刀的刀尖的朝向维持为所述第1方向的状态下，沿着所述一侧倾斜切断所述粘合带；第2调整工序，在将所述切刀自所述粘合带抽出的状态下，将所述切刀的刀尖的方向调整为自所述半导体晶圆的径向外侧朝向内侧的第2方向；第2切断工序，使刀尖被调整为所述第2方向的所述切刀刺穿所述粘合带，在将所述切刀的刀尖的朝向维持为所述第2方向的状态下，沿着所述另一侧倾斜切断所述粘合带；以及外周切断工序，沿着所述半导体晶圆的外周切断所述粘合带。
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