[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201711033862.4 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109727864A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 林静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构；在所述栅极结构的侧壁形成第一侧墙，所述第一侧墙内具有逸散离子；在所述第一侧墙的侧壁形成保护层，所述保护层用于阻挡逸散离子的逸散；在栅极结构、第一侧墙和保护层两侧的基底内分别形成轻掺杂区；形成所述轻掺杂区之后，在所述保护层的侧壁形成第二侧墙。所述方法形成的第一侧墙的性能较稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 侧墙 保护层 栅极结构 侧壁 基底 逸散 半导体结构 轻掺杂区 离子 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构；在所述栅极结构的侧壁形成第一侧墙，所述第一侧墙内具有逸散离子；在所述第一侧墙的侧壁表面形成保护层，所述保护层用于阻挡逸散离子的逸散；在所述栅极结构、第一侧墙和保护层两侧的基底内形成轻掺杂区；形成所述轻掺杂区之后，在所述保护层的侧壁形成第二侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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