[发明专利]一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法

摘要

本发明涉及一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法，主要解决现有技术测试时栅极应力撤销后恢复效应对测量结果产生影响的技术问题。通过测试阀值电压Vth以及该阀值电压对应的漏极电流Id0，在栅极增加应力，测试应力前和应力后相同感应电压下对应的漏极最小电流Idsmeasure,找到Idsmeasure与Id0相等的点对应的施加应力后的阀值电压Vths,根据公式ΔV＝Vths‑Vth计算出没有恢复效应的阀值偏移量的影响的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于偏压温度不稳定性的测试。

主权项

一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法，其特征在于包括以下步骤：A.将待测MOS器件放置于测试环境中，设置栅极电压进行扫描，扫描得到所述待测MOS器件的原始转移特性曲线，调整栅极电压，根据所述原始转移特征曲线确定所述待测MOS器件处于正常工作状态，测得所述待测MOS器件的栅极的阀值电压Vth以及对应的漏极电流Id0；B.在所述待测MOS器件的源极和漏极之间设置感应电压Vds，测试漏极电流Id；C.设置所述栅极电压的相邻扫描间隙时间Δt；D.在所述栅极施加感应电压,测试所述漏极电流Id的时间为t1,计算时间t1所需要的扫描点的个数n1：n1＝t1/Δt；记录n1个扫描点对应的漏极电流Id1；E.在所述栅极施加应力电压，施加所述应力电压的时间为t2，计算出时间t2所需要的扫描点的个数n2：n2＝t2/Δt，记录n2个扫描点对应的漏极电流Id2；F.撤销施加在栅极的应力电压，在所述栅极施加感应电压，所述感应电压与步骤D中的感应电压的值相同；测试所述栅极的恢复时间为t3，计算出时间t3所需要的扫描点的个数n3，n3＝t3/Δt，记录n3个扫描点对应的漏极电流Id3；G.重复步骤D～步骤F，定义Id3中与Id0相等的值为Idsmeasure，Idsmeasure值为Id3中的最小电流值，定义与Idsmeasure相对应的感应电压的值即为在栅极撤销应力电压后的阀值电压Vths；H.计算出阀值偏移量ΔVth＝Vths–Vth。