[发明专利]晶体管及其形成方法、半导体器件

摘要

本发明提供了一种晶体管及其形成方法、半导体器件。通过将栅极结构部分偏移至凹槽中，以使栅极结构从衬底的表面上进一步延伸至衬底中，从而可形成与栅极结构的边界形貌相对应的曲折形导电沟道。与传统的具有直线形导电沟道的平面型晶体管相比，本发明中的晶体管能够在尺寸与传统的平面型晶体管的尺寸相同的情况下，增加导电沟道的沟道长度，以改善晶体管的短沟道效应，进而有利于实现晶体管尺寸的缩减和提高晶体管的排布密集度。

主权项

一种晶体管，其特征在于，包括：一衬底，在所述衬底中形成有一凹槽；以及，一栅极结构，设置在所述衬底的表面上并沿着所述晶体管的沟道方向部分偏移至所述凹槽中以延伸至所述衬底中，其中，所述栅极结构中对应所述衬底表面的部分构成一表面栅极，所述栅极结构中对应所述凹槽的部分构成一凹槽栅极；其中，一第一掺杂区和一第二掺杂区形成在所述衬底中，并且所述第一掺杂区和所述第二掺杂区沿着所述沟道方向分别排布在所述栅极结构的两侧，用于构成所述晶体管的源区和漏区；以及，一沟道区域位于所述衬底的介于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间且沿着所述栅极结构的边界的区域中；当所述晶体管导通时，在所述沟道区域中反型形成出一曲折形导电沟道，所述曲折形导电沟道中的导电路径沿着所述平面栅极的边界区域并拐向所述凹槽栅极的边界区域，以连接所述第一掺杂区和所述第二掺杂区。