[发明专利]发光二极管晶粒的检测方法在审
| 申请号： | 201711039233.2 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109727880A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 凃博闵;洪梓健;沈佳辉;黄建翔;彭建忠;林雅雯;邱镜学 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 廖媛敏;汪飞亚 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管晶粒的检测方法，包括如下步骤：提供一装有溶剂的容器，将多个发光二极管晶粒放置于所述容器中，形成发光二极管晶粒与溶剂的混合溶液；提供一具有电路的基板，所述基板上形成有多个容置孔，所述容置孔底部包含有P电极和N电极，所述P电极和N电极连接所述电路；将含有发光二极管晶粒的混合溶液转移至所述基板的表面；将所述发光二极管晶粒进行定位以去除位于所述基板的第一表面上的发光二极管晶粒；对位于所述容置孔内的发光二极管晶粒进行检测筛选；提供一承载膜，依据检测结果将发光二极管晶粒进行分类或分级。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管晶粒 基板 容置孔 混合溶液 溶剂 检测 电路 第一表面 检测结果 承载膜 分级 去除 筛选 分类 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管晶粒的检测方法，包括如下步骤：提供一装有溶剂的容器，将多个发光二极管晶粒放置于所述容器中，形成发光二极管晶粒与溶剂的混合溶液；提供一具有电路的基板，所述基板上形成有多个容置孔，所述容置孔底部包含有P电极和N电极，所述P电极和N电极连接所述电路；将含有发光二极管晶粒的混合溶液转移至所述基板的表面；将部分位于所述基板第一表面的发光二极管晶粒去除；对位于所述容置孔内的发光二极管晶粒进行检测筛选；提供一承载膜，依据检测结果将发光二极管晶粒进行分类或分级。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
