[发明专利]像素结构电路及液晶显示电路在审

专利信息
申请号: 201711041093.2 申请日: 2017-10-30
公开(公告)号: CN107783345A 公开(公告)日: 2018-03-09
发明(设计)人: 甘启明 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种像素结构电路及液晶显示电路。像素结构电路包括栅极线;数据线;第一公共线,其用于传输第一公共电压;第二公共线,其用于传输第二公共电压;第一主区场效应管,其源极与数据线连接,其栅极与栅极线连接,其漏极连接主区像素电容;第二主区场效应管,其源极与第一主区场效应管的漏极连接并通过主区存储电容与第一公共线连接,其栅极与栅极线连接,其漏极通过主区分享电容与第二公共线连接;第一子区场效应管,其源极与数据线连接,其栅极与栅极线连接,其漏极与子区像素电容连接;第二子区场效应管,其源极与第一子区场效应管的漏极连接并通过子区存储电容与第二公共线连接,其栅极与栅极线连接,其漏极与第一公共线连接。
搜索关键词: 像素 结构 电路 液晶显示
【主权项】:
一种像素结构电路,其特征在于,包括:一栅极线,其用于传输栅极电压;一数据线,其用于传输数据电压;第一公共线,其用于传输第一公共电压;第二公共线,其用于传输第二公共电压;第一主区场效应管,其源极与数据线连接,其栅极与栅极线连接,其漏极连接主区像素电容;第二主区场效应管,其源极与第一主区场效应管的漏极连接并通过主区存储电容与第一公共线连接,其栅极与栅极线连接,其漏极通过主区分享电容与第二公共线连接;第一子区场效应管,其源极与数据线连接,其栅极与栅极线连接,其漏极与子区像素电容连接;第二子区场效应管,其源极与第一子区场效应管的漏极连接并通过子区存储电容与第二公共线连接,其栅极与栅极线连接,其漏极与第一公共线连接;所述第一公共电压与第二公共电压不相等。
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