[发明专利]一种用于电磁故障注入的纳秒级电磁脉冲发生器在审

专利信息
申请号: 201711041567.3 申请日: 2017-10-31
公开(公告)号: CN107818218A 公开(公告)日: 2018-03-20
发明(设计)人: 袁果;刘强 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 代理人: 刘子文
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种用于电磁故障注入的纳秒级电磁脉冲发生器,用以产生瞬态电磁脉冲信号,属于电磁故障注入领域。本发明主要包括直流电源、信号发生器、Marx发生器、MOSFET驱动电路和电磁探头。直流电源分别为Marx发生器和MOSFET驱动电路供电,信号发生器为MOSFET驱动电路提供脉冲信号,控制MOSFET的导通和关断,进而在电磁探头上产生脉宽、频率为设定值的瞬态电磁脉冲。本发明装置在负载端电磁探头两端可产生幅值可调、脉宽可变(200‑2000ns)的电压脉冲信号,进而在电磁探头上产生脉宽、频率为设定值的不同强度的瞬态电磁脉冲。本发明的电磁脉冲发生器设计原理简单,制造成本低,电路稳定性好。
搜索关键词: 一种 用于 电磁 故障 注入 纳秒级 脉冲 发生器
【主权项】:
一种用于电磁故障注入的纳秒级电磁脉冲发生器,其特征在于,包括直流电源、信号发生器、Marx发生器、MOSFET驱动电路和电磁探头,所述直流电源与所述MOSFET驱动电路、Marx发生器分别连接,为所述MOSFET驱动电路和所述Marx发生器提供电源;所述MOSFET驱动电路内置有MOSFET驱动芯片、瞬态电压抑制二极管(TVS)、保护电阻(R1)和栅极驱动电阻(Rg);所述MOSFET驱动芯片的输入端与所述信号发生器的输出端连接,所述MOSFET驱动芯片的输出端与所述栅极驱动电阻(Rg)相连,所述瞬态电压抑制二极管(TVS)与所述栅极驱动电阻(Rg)串联,所述保护电阻(R1)与所述瞬态电压抑制二极管(TVS)并联;所述Marx发生器包括充电隔离电阻(RC)和一至四级可调Marx电路,所述的充电隔离电阻(RC)的一端与所述直流电源的输出端相连,用于Marx电路的高压与直流电源隔离和充电限流;所述充电隔离电阻(RC)的另一端通过导线与所述Marx电路的第一级电路的二极管的正极连接,每级Marx电路由MOSFET开关、储能电容和二极管组成;在每级所述的Marx电路中二极管的负极通过导线与MOSFET开关和储能电容的并联点连接;所述Marx电路通过在PCB板上的各级连接处放置跳线帽来改变电路结构;MOSFET开关的栅源极分别与所述MOSFET驱动电路的瞬态电压抑制二极管(TVS)并联,用以避免MOSFET开关栅源极过电压导致器件损坏。
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