[发明专利]在中温下弹坑检测的预处理方法有效
| 申请号： | 201711041685.4 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN107799399B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 章建声;曹弦;黄迅驹;张青云 | 申请（专利权）人： | 浙江华越芯装电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 33220 绍兴市越兴专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 蒋卫东 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种在中温下弹坑检测的预处理方法，先将待检硅片浸入装有腐蚀液A的1号烧杯中，然后将整个1号烧杯中温水浴5‑10分钟，接着取出待检硅片并用纯水冲洗干燥，然后将待检硅片放入装有腐蚀液B的2号烧杯中，并将整个2号烧杯中温水浴5‑10分钟，最后将预处理后的待检硅片取出清洗干净，置于高倍显微镜下检测。上述在中温下弹坑检测的预处理方法，通过腐蚀液A、腐蚀液B在中温状态下先后腐蚀，即可实现AL‑Si‑CU电极层上铜丝球焊质量的检测，整个预处理过程快速高效、安全环保，且操作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 中温下 弹坑 检测 预处理 方法 | ||
【主权项】：
1.在中温下弹坑检测的预处理方法，其特征在于：先将待检硅片浸入装有腐蚀液A的1号烧杯中，然后将整个1号烧杯中温水浴5-10分钟，接着取出待检硅片并用纯水冲洗干燥，然后将待检硅片放入装有腐蚀液B的2号烧杯中，并将整个2号烧杯中温水浴5-10分钟，然后将预处理后的待检硅片取出清洗干净，置于高倍显微镜下检测，所述高倍显微镜为200倍以上的显微镜；所述腐蚀液A为10-20%NaOH，该百分比为体积浓度；所述腐蚀液B为10-20%硫酸+3-5%醋酸+20-30%磷酸，该百分比为体积浓度；所述中温为40-60℃。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江华越芯装电子股份有限公司，未经浙江华越芯装电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711041685.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种饲料打散粉碎设备
- 下一篇：一种新型压滤精煤均质化破碎装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
