[发明专利]半导体激光器巴条、半导体激光器单管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711042022.4 申请日: 2017-10-30
公开(公告)号: CN107910748A 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 胡海;何晋国;汪卫敏 申请(专利权)人: 深圳瑞波光电子有限公司
主分类号: H01S5/30 分类号: H01S5/30
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 代理人: 何青瓦
地址: 518052 广东省深圳市南山区西丽*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种半导体激光器巴条、半导体激光器单管及其制备方法,半导体激光器巴条,包括第一型衬底;设置在第一型衬底上的外延层,外延层相对于第一型衬底的表面形成有多个半导体激光器电流注入区,其中多个半导体激光器电流注入区呈阵列分布;及设置在相邻半导体激光器电流注入区对应非出光面侧的边沿之间的隔离槽;其中,至少部分隔离槽为不规则结构。通过以上方式,本发明能够避免侧面激射现象,以及防止激光器单管侧面解理缺陷向电流注入区延伸导致器件失效问题。
搜索关键词: 半导体激光器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种半导体激光器巴条,其特征在于,所述半导体激光器巴条包括:第一型衬底;设置在所述第一型衬底上的外延层,所述外延层相对于所述第一型衬底的表面形成有多个半导体激光器电流注入区,其中所述多个半导体激光器电流注入区呈阵列分布;及设置在相邻所述半导体激光器电流注入区对应非出光面侧的边沿之间的隔离槽;其中,至少部分所述隔离槽为不规则结构。
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