[发明专利]具有推力增程模块的MEMS微推力器阵列芯片有效
申请号: | 201711042484.6 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN107902109B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 王守旭;朱健;姜国庆;匡蕾;夏燕 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | B64G1/40 | 分类号: | B64G1/40;F02K9/14;F02K9/32 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 陈鹏 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种具有推力增程模块的MEMS微推力器阵列芯片,包括由下至上依次设置的点火层、药室层和推力增程模块;所述推力增程模块的上表面设置有外喷孔,推力增程模块的下表面设置有内喷孔,内喷孔和外喷孔之间设置有单晶硅薄膜,作为内外喷孔之间的隔膜;内喷孔内壁生长或者沉积高能纳米含能膜作为推力增程模块的推进剂。本发明在不改变核心机结构和性能参数的情况下,通过增加推力增程模块实现对MEMS微推力器阵列芯片关键技术指标的调控,有利于实现MEMS微推力器阵列芯片的批量化、低成本化、系列化和型谱化。 | ||
搜索关键词: | 具有 推力 模块 mems 阵列 芯片 | ||
【主权项】:
一种具有推力增程模块的MEMS微推力器阵列芯片,其特征在于,包括由下至上依次设置的点火层、药室层和推力增程模块;所述推力增程模块的上表面设置有外喷孔,推力增程模块的下表面设置有内喷孔,内喷孔和外喷孔之间设置有单晶硅薄膜,作为内外喷孔之间的隔膜;内喷孔内壁生长或者沉积高能纳米含能膜作为推力增程模块的推进剂。
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