[发明专利]一种高效硒碲化镉合金纳米晶太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201711043955.5 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN107919403B | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 覃东欢;李妙姿;温诗雅;刘笑霖;梅相霖;吴镔 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: |
本发明公开了一种高效硒碲化镉合金纳米晶太阳电池及其制备方法。该太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、背电极修饰层以及阳极层叠而成。其中阴极为ITO,阴极界面层为ZnO,窗口层为CdSe或CdSe |
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搜索关键词: | 一种 高效 硒碲化镉 合金 纳米 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高效硒碲化镉合金纳米晶太阳电池,其特征在于,所述太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、背电极修饰层以及阳极从下到上依次层叠而成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的