[发明专利]载流子传输层的制备方法及磁控溅射装置有效
| 申请号： | 201711046174.1 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN107871802B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 常帅;钟海政 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 董天宝;于宝庆 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种载流子传输层的制备方法及磁控溅射装置，该制备方法包括：提供一导电基板；将贵金属和载流子传输层材料制成靶材；以及采用磁控溅射，在所述导电基板上同时沉积贵金属和载流子传输层材料，得到贵金属纳米颗粒掺杂的载流子传输层。本发明的制备方法及磁控溅射装置具有成本低、通用型强、可大面积制备等优势，所得贵金属纳米颗粒掺杂的载流子传输层表面均一性较好且容易进行表面形貌调控，可有效提高LED器件的发光效率和器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子 传输 制备 方法 磁控溅射 装置 | ||
【主权项】：
1.一种载流子传输层的制备方法，其特征在于，包括：提供一导电基板；将贵金属和载流子传输层材料制成靶材；采用磁控溅射，在所述导电基板上同时沉积贵金属和载流子传输层材料，得到贵金属纳米颗粒掺杂的载流子传输层；以及利用一遮掩板部分地遮盖所述靶材，使所述载流子传输层材料继续沉积在所述贵金属纳米颗粒掺杂的载流子传输层上以形成一保护层，其中所述遮掩板将所述贵金属完全遮盖而使所述载流子传输层材料部分或全部地露出。
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