[发明专利]一种硅晶体管与氮化镓晶体管异构集成的方法

摘要

本发明涉及一种硅晶体管与氮化镓晶体管异构集成的方法，包括在氮化镓晶体管圆片上蒸发/溅射第一互联金属；在氮化镓晶体管圆片上旋涂一层BCB，覆盖第一互联金属，对BCB进行平坦化刻蚀，露出第一互联金属表面；在硅晶体管圆片上蒸发/溅射第二互联金属；在硅晶体管圆片上旋涂一层BCB，覆盖第二互联金属，对BCB进行平坦化刻蚀，露出第二互联金属表面；硅晶体管圆片与氮化镓晶体管圆片正面相对键合；对键合后的硅衬底进行研磨减薄；在硅衬底开孔填充第三互联金属，实现硅晶体管与氮化镓晶体管的异构集成。本发明通过互联金属微凸点与BCB混合键合的方法实现氮化镓晶体管与硅晶体管在同一圆片上的集成，使得集成芯片体积更加小型化。

主权项

一种硅晶体管与氮化镓晶体管异构集成的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，清洗氮化镓晶体管圆片，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；在氮化镓晶体管圆片表面蒸发或溅射第一互联金属；步骤2，在氮化镓晶体管圆片正面旋涂一层BCB，BCB的厚度大于第一互联金属的厚度，完全覆盖第一互联金属，并对BCB进行软固化；步骤3，利用等离子体对氮化镓晶体管圆片上的BCB表面进行干法平坦化刻蚀，直至第一互联金属上表面露出来；步骤4，清洗硅晶体管圆片，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；在硅晶体管圆片表面与第一互联金属位置对应的地方蒸发或溅射第二互联金属；步骤5，在硅晶体管圆片正面旋涂一层BCB，BCB的厚度大于第二互联金属的厚度，完全覆盖第二互联金属，并对BCB进行软固化；步骤6，利用等离子体对硅晶体管圆片上的BCB表面进行干法平坦化刻蚀，直至第二互联金属表面露出来；步骤7，将氮化镓晶体管圆片与硅晶体管圆片正面相对并通过两个圆片上各自的对准标记进行图形对准，在键合设备中实现第一互联金属和第二互联金属共融键合以及BCB热压同时键合；步骤8，对键合后圆片的硅衬底通过研磨设备进行研磨减薄；步骤9，在硅衬底上进行选择性刻蚀开孔，露出硅晶体管的互联金属，在刻蚀出的通孔内溅射或者电镀第三互联金属，完成硅晶体管与氮化镓晶体管的异构集成。