[发明专利]一种高迁移率晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种高迁移率晶体管的制备方法，在具有二维电子气特性的外延片表面形成光刻台面，在光刻台面上沉积金属膜、介质层一形成沟槽，退火成欧姆接触层，然后进一步沉积介质层二，将沟槽底部的介质层二刻蚀掉，再沉积金属，形成肖特基接触，最后剥离形成栅帽，最后释放介质层一、介质层二，得到高迁移率晶体管器件；通过上述制备方法，可以实现栅的自对准，突破线宽极限，过程可控性高，得到的器件体积更为优化，并且得到的高迁移率晶体管的频率和特性得到提高。

主权项

1.一种高迁移率晶体管的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）准备一张具有二维电子气的外延片；（2）在外延片的上表面的中心部分上形成光刻胶台面；（3）在光刻胶台面和在外延片上表面的其他部分上沉积形成欧姆接触金属膜；（4）在欧姆接触金属膜上沉积形成介质层一；（5）将光刻胶台面及其上面的欧姆接触金属膜、介质层一进行剥离形成沟槽，然后退火形成欧姆接触层；（6）在剥离后器件的上表面沉积形成介质层二；（7）对介质二进行各向异性刻蚀，将沟槽底部的介质二刻蚀掉，同时将介质一上方的一定厚度的介质二刻蚀掉，最后在沟槽的侧壁形成一层侧墙；（8）在沟槽及介质二的表面淀积肖特基接触金属，与沟槽的底部的外延片上表面形成肖特基接触，刻蚀或者剥离形成栅帽；（9）最后释放介质层一、介质层二，得到高迁移率晶体管器件。