[发明专利]一种提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺有效
| 申请号： | 201711050770.7 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN107855922B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 魏艳军;由佰玲;吕莹;武卫;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/10;B24B7/22;H01L21/02 |
| 代理公司： | 12211 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘莹 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺，包括抛光滴蜡的步骤和对硅片背面的表面进行清洁以改变抛光过程中机械作用强度的步骤；所述对硅片背面的表面进行清洁的步骤位于抛光滴蜡的步骤之前。本发明所述的提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺，在现有抛光技术的基础上增加抛光滴蜡前对于硅片背面的表面洁净程度状态的处理,改变抛光过程中抛光机械作用强度使抛光过程中的机械化学作用良好匹配，从而很好的改善硅晶圆抛光片表面的平整度，达到完美硅晶圆抛光片表面的目的，达到硅晶圆抛光片的TTV≤2um，SFQR≤0.14um的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 英寸 硅晶圆片 几何 参数 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)对硅晶圆片背面的表面进行清洁以改变抛光过程中机械作用强度；/n(2)对清洗后的硅晶圆片进行滴蜡、甩蜡、贴片的动作，在贴片前会进行参考面方向的确认，确保后续加工的精准性；/n(3)根据已确定的参考面方向进行粗研抛光，抛光过程中粗研抛光液参与其中，硅晶圆片与抛光布之间进行摩擦的同时进行化学腐蚀作用，以进行表面磨削，使硅晶圆片的表面平整度基本定型；其中，粗研抛光时间为25-35min,抛光盘转速为15-20r/min，抛光压力采用抛光压头自重和中心加压的方式进行，压头自重分配后为150-250g/cm
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