[发明专利]MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路及制备方法有效
| 申请号： | 201711051350.0 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN107933969B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 朱健;王守旭;贾世星;杜国平;王冬蕊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;B64G1/40;B81B7/02 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路及制备方法，寻址点火电路包括衬底、绝缘介质层和金属引线；衬底上设置第一层金属引线，然后沉积第一层绝缘介质层作为与第二层金属引线的绝缘层，在第一层绝缘介质层上布置第二层金属引线，然后沉积第二层绝缘介质层作为与第三层金属引线的绝缘层，重复上述工艺，实现多层金属引线的立体化布置。本发明在垂直于衬底表面的方向上实现多层金属引线的立体布置，将目前基于二维平面的集成度升级成基于三维立体的体集成度，充分利用衬底面积，在不增加芯片面积和工艺难度的基础上，增加金属引线的线宽以提高大电流承受能力。 | ||
| 搜索关键词： | mems 推进器 阵列 芯片 寻址 点火 电路 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路，其特征在于，包括衬底、金属引线和绝缘介质层；所述金属引线和绝缘介质层均为多层布置，第一层金属引线设置在衬底上，第一层绝缘介质层沉积在第一层金属引线上方，第二层金属引线设置在第一层绝缘介质层上，第二层绝缘介质层沉积在第二层金属引线上方，重复上述布置方式，得到多层金属引线立体化布置的寻址点火电路。
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