[发明专利]非易失性存储器件及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201711056941.7 申请日: 2017-10-27
公开(公告)号: CN108009100B 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 姜勍旻;姜东求;金光源;金贤真 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F12/0866 分类号: G06F12/0866;G11C7/10;G11C8/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 非易失性存储器件包括:存储单元阵列,包括第一平面至第四平面;页缓冲电路,包括分别与第一平面至第四平面连接的第一页缓冲单元至第四页缓冲单元;输入/输出电路,包括与第一页缓冲单元至第四页缓冲单元连接的第一输入/输出单元和与第二页缓冲单元和第四页缓冲单元连接的第二输入/输出单元;以及控制逻辑,控制输入/输出电路在第一读取模式下通过第一输入/输出单元从第一页缓冲单元至第四页缓冲单元中的一个输出第一数据,并且在第二读取模式下通过第一输入/输出单元从第一页缓冲单元和第三页缓冲单元中的一个输出第二数据,通过第二输入/输出单元从第二页缓冲单元和第四页缓冲单元中的一个输出第三数据。
搜索关键词: 非易失性存储器 及其 操作方法
【主权项】:
1.一种非易失性存储器件,包括:存储单元阵列,包括第一平面、第二平面、第三平面和第四平面;页缓冲电路,包括第一页缓冲单元、第二页缓冲单元、第三页缓冲单元和第四页缓冲单元,其中,第一平面、第二平面、第三平面和第四平面分别连接到第一页缓冲单元、第二页缓冲单元、第三页缓冲单元和第四页缓冲单元;输入/输出电路,包括与第一页缓冲单元、第二页缓冲单元、第三页缓冲单元和第四页缓冲单元连接的第一输入/输出单元和与第二页缓冲单元和第四页缓冲单元连接的第二输入/输出单元;以及控制逻辑,被配置为控制输入/输出电路在第一读取模式下通过第一输入/输出单元输出来自第一页缓冲单元、第二页缓冲单元、第三页缓冲单元和第四页缓冲单元中的一个的第一数据,以及在第二读取模式下通过第一输入/输出单元输出来自第一页缓冲单元和第三页缓冲单元中的一个的第二数据,并且通过第二输入/输出单元输出来自第二页缓冲单元和第四页缓冲单元中的一个的第三数据。
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