[发明专利]一种干法打砂清洗工艺有效
| 申请号： | 201711057486.2 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109755100B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 黄志焕;李亚哲;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;王晓捧;王宏宇;王鹏 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/12;B08B3/08 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种干法打砂清洗工艺，包括依次进行以下步骤：S1：对打砂后的硅片进行超声清洗；S2：对超声清洗后的硅片进行超声后处理；S3：对超声后处理的硅片进行清洗剂清洗。本发明的有益效果是由于采用上述技术方案，使得硅片在干法打砂后进行清洗更加方便快捷，清洗效率高，采用超声清洗，将干法打砂后硅片表面的杂质清洗干净，超声清洗后采用硅刻蚀液或氢氟酸进行清洗，对硅片表面进行腐蚀，去除硅片表面因机械应力造成的应力损伤层，去除硅片表面的颗粒杂质，采用清洗剂清洗，将腐蚀后的硅片表面的杂质清洗干净，使得硅片表面清洁度达到生产规格要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 干法打砂 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种干法打砂清洗工艺，其特征在于：包括依次进行以下步骤：S1：对打砂后的硅片进行超声清洗；S2：对超声清洗后的硅片进行超声后处理；S3：对超声后处理的硅片进行清洗剂清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
