[发明专利]超大尺寸光学图像传感器芯片装片工艺方法和吸嘴有效
申请号: | 201711057807.9 | 申请日: | 2017-11-01 |
公开(公告)号: | CN107768395B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 李良海;杨兵;肖汉武;丁雪龙 | 申请(专利权)人: | 无锡中微高科电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/683 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷红梅;屠志力 |
地址: | 214035 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种超大尺寸光学图像传感器芯片装片工艺方法,包括以下步骤:提供一种与芯片尺寸相适配的吸嘴;吸嘴的底部四个角上分别设有限位柱;将所述吸嘴安装在具有识别系统的装片机头上,由装片机的识别系统定位后由吸嘴去吸取芯片;打开真空吸住芯片于吸附腔;吸嘴不接触芯片表面;将吸住芯片的吸嘴移动到基板上的芯片贴装位置;限位柱支撑在基板的粘接面上,此时芯片与基板的粘接面之间具有空隙;对基板进行加热;到恒温状态后,通过点胶机沿芯片边沿的底部进行粘结胶的填充;待芯片四周出胶均匀后,停止填充,恒温一段时间进行预固化,然后关闭真空,移开吸嘴,后继进行后固化。 | ||
搜索关键词: | 超大 尺寸 光学 图像传感器 芯片 工艺 方法 | ||
【主权项】:
一种超大尺寸光学图像传感器芯片装片工艺方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1,提供一种与芯片尺寸相适配的吸嘴(1);所述吸嘴(1)包括吸附腔(101),以及位于吸附腔(101)上方并连通吸附腔的真空孔(102);吸嘴(1)的底部四个角上分别设有限位柱(103);四个限位柱(103)的高度一致;步骤S2,将所述吸嘴(1)安装在具有识别系统的装片机头上,由装片机的识别系统定位后由吸嘴(1)去吸取芯片(2);保证芯片(2)被卡在吸嘴(1)的中间位置,打开真空吸住芯片(2)于吸附腔(101);吸嘴(1)不接触芯片(2)表面;步骤S3,在基板(3)上确定芯片(2)贴装的位置,将吸住芯片(2)的吸嘴(1)移动到基板(3)上的芯片贴装位置;吸嘴(1)底部四个角上的限位柱(103)下端低于芯片(2)底面,限位柱(103)支撑在基板(3)的粘接面上,此时芯片(2)与基板(3)的粘接面之间具有空隙;步骤S4,对基板(3)进行加热;到恒温状态后,通过点胶机沿芯片(2)边沿的底部进行粘结胶的填充;恒温状态的温度控制在高于粘结胶能够流动的温度,但低于粘结胶的固化温度;步骤S5,待芯片(2)四周出胶均匀后,停止填充,恒温一段时间进行预固化,然后关闭真空,移开吸嘴(1),后继进行后固化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡中微高科电子有限公司,未经无锡中微高科电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711057807.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种图像传感器及其制作方法
- 下一篇:器件阵列基板及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的