[发明专利]成膜方法

摘要

本发明提供一种成膜方法。该成膜方法包括步骤：1）提供一第一边界最小重叠环，第一边界最小重叠环包括第一环形主体，第一环形主体的第一环形阻挡区域内形成有若干个沿其轴向间隔排布的通孔；2）提供一晶圆并置于第一边界最小重叠环的下方，于晶圆的上表面形成初始膜层；3）提供一第二边界最小重叠环，第二边界最小重叠环的第二环形主体的第二环形阻挡区域沿其周向未设有通孔；4）将表面形成有初始膜层的晶圆置于第二边界最小重叠环的下方，于初始膜层的上表面形成主体膜层，最终得到所需膜层。采用本发明的成膜方法得到的膜层具有较好的边缘斜面和台阶覆盖，有利于后续工艺去除表面缺陷，提高器件和电路的可靠性，并使光刻工艺更简化。

主权项

1.一种成膜方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一第一边界最小重叠环(1)，所述第一边界最小重叠环包括第一环形主体(11)，所述第一环形主体(11)具有位于所述第一环形主体内侧的第一环形阻挡区域(12)及位于所述第一环形阻挡区域内侧的上下贯通的第一开口(13)，其中，所述第一环形阻挡区域内形成有若干个沿其轴向间隔排布的通孔(14)；2)提供一晶圆(3)，将所述晶圆置于所述第一边界最小重叠环的下方，所述晶圆的边缘延伸至所述第一环形阻挡区域的下方，且所述第一开口暴露出所述晶圆的上表面；于所述晶圆的上表面形成初始膜层(41)，所述初始膜层覆盖所述晶圆位于所述第一开口内的上表面及位于所述第一环形阻挡区域下方的边缘区域；3)提供一第二边界最小重叠环(2)，所述第二边界最小重叠环包括第二环形主体(21)，所述第二环形主体具有位于所述第二环形主体内侧的第二环形阻挡区域(22)及位于所述第二环形阻挡区域内侧的上下贯通的第二开口(23)；其中，所述第二环形阻挡区域沿其周向未设有通孔；4)将表面形成有所述初始膜层的晶圆置于所述第二边界最小重叠环的下方，所述晶圆的边缘延伸至所述第二环形阻挡区域的下方，且所述第二开口暴露出所述初始膜层的上表面；于所述初始膜层的上表面形成主体膜层(42)；其中，所述初始膜层和所述主体膜层共同构成所需膜层(4)。