[发明专利]一种分栅结构的功率晶体管

摘要

本发明实施例公开了一种分栅结构的功率晶体管，包括源极、漏极、第一栅极、第二栅极、第三栅极、体二极管和体区接触二极管，所述体二极管的阴极与所述漏极连接，所述体区接触二极管的阳极与所述体二极管的阳极连接，所述体区接触二极管的阴极与所述源极连接，所述第一栅极通过栅极电压来控制所述源极和所述漏极之间的第一电流沟道的开启和关断，所述第二栅极、第三栅极与所述源极连接，所述第二栅极通过源极电压来控制所述源极和所述漏极之间的第二电流沟道的开启和关断，所述第三栅极为屏蔽栅极并通过源极电压来提高该分栅结构的功率晶体管的耐压。

主权项

1.一种分栅结构的功率晶体管，其特征在于，包括：n型漏区以及位于所述n型漏区之上的n型漂移区；凹陷在所述n型漂移区内的至少两个沟槽，所述沟槽包括上部沟槽和下部沟槽，所述下部沟槽的开口位于所述上部沟槽的底部；位于所述n型漂移区内且介于相邻的所述上部沟槽之间的p型体区，所述p型体区内设有p型体区接触区、第一n型源区和第二n型源区；位于所述p型体区接触区之上的导电层，所述导电层与所述p型体区接触区形成体区接触二极管结构，其中所述导电层为所述体区接触二极管结构的阴极，所述p型体区接触区为所述体区接触二极管结构的阳极；覆盖所述上部沟槽的靠近所述第一n型源区一侧的侧壁表面的栅介质层和第一栅极，所述第一栅极通过栅极电压来控制所述第一n型源区和所述n型漂移区之间的第一电流沟道的开启和关断；覆盖所述上部沟槽的靠近所述第二n型源区一侧的侧壁表面的栅介质层和第二栅极；位于所述下部沟槽内的场氧化层和第三栅极，所述第一n型源区、第二n型源区、第二栅极、第三栅极、导电层之间电性连接并均接源极电压，所述第二栅极通过源极电压来控制所述第二n型源区和所述n型漂移区之间的第二电流沟道的开启和关断。