[发明专利]气隙栅极侧壁间隔件及方法有效
| 申请号： | 201711059486.6 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN108336015B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·恰尼莫盖姆;恩德·拉伯特;谢瑞龙;拉尔斯·赖柏曼;尼格尔·凯夫;古拉密·波奇 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及气隙栅极侧壁间隔件及方法，所揭示为集成电路(IC)结构和其形成方法。在该方法中，在沟道区域上形成具有牺牲性栅极盖和牺牲性栅极侧壁间隔件的栅极。该盖和侧壁间隔件被移除，形成空穴，其具有位于该栅极的侧壁和相邻金属栓塞之间的下部部分以及具有在该下部部分和该栅极上方的上部部分。沉积第一介电质层，在该下部部分中形成气隙并对齐该上部部分。沉积第二介电质层，填补该上部部分。在形成栅极接点开口(视需要在主动区上)期间，该第二介电质层被移除而该第一介电质层被非等向性蚀刻，从而曝露该栅极并产生具有下气隙段和上实心段的介电质间隔件。沉积进入开口内的金属形成该栅极接点。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 侧壁 间隔 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包含：在沟道区域形成与半导体本体相邻的栅极，该沟道区域横向定位于源极/漏极区域，而该栅极具有牺牲性栅极盖与牺牲性栅极侧壁间隔件；在源极/漏极区域上形成具有塞盖的金属栓塞，并横向定位且紧紧相邻于该牺牲性栅极侧壁间隔件；蚀刻该牺牲性栅极盖与该牺牲性栅极侧壁间隔件以创造具有下部部分及上部部分的空穴，该下部部分曝露在该栅极的侧壁和该金属栓塞，而该上部部分位于该下部部分及该栅极上方；以及沉积第一介电质层进入该空穴，使得气隙建立在该下部部分中以及使得该第一介电质层对齐该上部部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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