[发明专利]一种反应离子刻蚀方法和设备有效
| 申请号： | 201711060051.3 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN107863285B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 陈子琪 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种反应离子刻蚀方法和设备。该方法用于反应离子刻蚀的等离子体是基于脉冲激光诱导的方式产生的，而不是基于射频放电的方式产生的。因电压一定的情况下，相比射频放电，脉冲激光聚焦更容易诱导气体产生等离子体，且电离程度更高，因此，在电压一定的情况下，相较于射频放电方式，脉冲激光诱导方式能够产生的等离子体密度更大，形成的等离子体初始动能更大。因此，采用脉冲激光方式能够有利于提高反应离子刻蚀速率，特别有利于深孔或深槽的底部刻蚀。而且，因产生的等离子体密度和等离子体初始动能更大，因此，利用该方式产生的等离子体进行刻蚀，有利于提高各向异性刻蚀的选择性，有利于改善刻蚀形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反应 离子 刻蚀 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种反应离子刻蚀方法，其特征在于，包括：将待刻蚀基片放入反应离子刻蚀腔室内；向反应离子刻蚀腔室内通入反应气体；利用脉冲激光诱导反应气体，产生等离子体；筛选出沿激光传播方向膨胀的等离子体；调整等离子体的运动方向，使等离子的运动方向一致且使等离子的运动方向垂直于待刻蚀基片表面方向，所述调整等离子体的运动方向，具体为：准直等离子体的运动方向，使等离子体的运动方向一致；利用等离子体对待刻蚀基片进行反应离子刻蚀。
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