[发明专利]静电夹盘及其制造方法在审
| 申请号： | 201711062566.7 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN107833850A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | S·撒奇;D·卢博米尔斯基;J·Y·孙;K·马赫拉切夫 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 杨学春,侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明关于静电夹盘及其制造方法，所述静电夹盘包括导热基座，所述导热基座具有安置于所述导热基座中的数个加热元件。金属层覆盖所述导热基座的至少一部分，其中所述金属层使所述数个加热元件免受射频(radio frequency，RF)耦合，且用作所述静电夹盘的电极。抗等离子体介电层覆盖所述金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种静电夹盘，所述静电夹盘包含：导热基座；数个加热元件，所述数个加热元件在所述导热基座中，其中所述数个加热元件包含数个主要加热元件及数个辅助加热元件，其中所述数个辅助加热元件的功率低于所述数个主要加热元件；金属层，所述金属层覆盖所述导热基座的至少一部分；以及抗等离子体介电层，所述抗等离子体介电层覆盖所述金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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