[发明专利]一种N型太阳能电池硼扩散方法

摘要

本发明公开了一种N型太阳能电池硼扩散方法，包括以下步骤1)将制绒后的N型硅片利用高温硼源扩散得到P+发射极；2)在氢氟酸溶液中室温下反应40‑60S，去除N型硅片表面的硼硅玻璃；3)将去除硼硅玻璃后的N型硅片用纯水清洗，去除表面残留的氢氟酸溶液；4)将纯水清洗后的N型硅片放入NaOH溶液中反应2‑5mins，使N型硅片的方阻提升8‑20ohm/sq；5)将方阻提升后的N型硅片放入氢氟酸/盐酸混合溶液中清洗1‑2mi ns，去除金属离子及背面氧化层；6)用纯水清洗并吹干。该方法可均匀提升扩硼后硅片表面方阻，有效解决N型电池硼扩散后表面浓度低的情况，并改善结深。

主权项

一种N型太阳能电池硼扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将制绒后的N型硅片利用高温硼源扩散得到P+发射极；2)在氢氟酸溶液中室温下反应40‑60S，去除N型硅片表面的硼硅玻璃；3)将去除硼硅玻璃后的N型硅片用纯水清洗，去除表面残留的氢氟酸溶液；4)将纯水清洗后的N型硅片放入NaOH溶液中反应2‑5mins，使N型硅片的方阻提升8‑20ohm/sq；5)将方阻提升后的N型硅片放入氢氟酸/盐酸混合溶液中清洗1‑2mins，去除金属离子及背面氧化层；6)用纯水清洗并吹干。