[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711064077.5 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN108231733B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 林威呈;杨惠婷;彭士玮;曾健庭;杨超源;赖志明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，包括至少一第一栅极带、至少一第二栅极带、至少一第一导电线和至少一第一导电通孔。此至少一第一栅极带的一端表面和此至少一第二栅极带的一端表面彼此相对。此至少一第一导电线在此至少一第一栅极带和此至少一第二栅极带上方并且跨此至少一第一栅极带的此端表面和此至少一第二栅极带的此端表面。此至少一第一导电通孔连接此至少一第一导线与此至少一第一栅极带。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包括：一至少一第一栅极带；一至少一第二栅极带，其中该至少一第一栅极带的一端表面与该至少一第二栅极带的一端表面彼此相对；一至少一第一导电线，在该至少一第一栅极带和该至少一第二栅极带上方并且跨该至少一第一栅极带的该端表面和该至少一第二栅极带的该端表面；以及一至少一第一导电通孔，连接该至少一第一导线与该至少一第一栅极带。
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