[发明专利]孔洞图形的形成方法及具有孔洞图形的半导体结构

摘要

本发明提供一种孔洞图形形成方法及半导体结构，形成包括提供半导体基底，于其表面形成正性光刻胶层；采用第一掩膜版对光刻胶层进行第一次曝光，形成第一曝光区，包括间隔排布的第一曝光单元及位于相邻第一曝光单元之间的第一非曝光单元；采用第二掩膜版进行第二次曝光，形成第二曝光区，包括间隔排布的第二曝光单元及位于相邻第二曝光单元之间的第二非曝光单元，第二非曝光单元与第一非曝光单元至少形成一个相交叉区域；用负性显影方式去除相交叉区域的光刻胶层得到孔洞图形。本发明的孔洞图形的形成方法基于负型显影技术并结合双重曝光技术，降低制作门槛的难度，简化了工艺流程，降低成本，可以得到任意需要排布的孔洞，适于不同的器件结构。

主权项

一种孔洞图形的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一半导体基底，并于所述半导体基底上形成一层正性的光刻胶层；2)采用第一掩膜版对所述光刻胶层进行第一次曝光，以在所述光刻胶内层形成第一曝光区，所述第一曝光区包括间隔排布的第一曝光单元以及位于相邻所述第一曝光单元之间且顺着第一方向延伸的第一非曝光单元；3)采用第二掩膜版对所述光刻胶层进行第二次曝光，以在所述光刻胶层内形成第二曝光区，重迭于所述第一曝光区，所述第二曝光区包括间隔排布的第二曝光单元以及位于相邻所述第二曝光单元之间且顺着第二方向延伸的第二非曝光单元，其中，所述第二非曝光单元与所述第一非曝光单元形成至少一个非曝光相交叉区域，所述相交叉区域形成孔洞区域；以及4)使用负性显影方式去除所述孔洞区域对应的所述光刻胶层，以得到具有孔洞图形的光刻胶层。