[发明专利]一种高光效P型非极性AlN薄膜及其制备方法

摘要

本发明提供一种高光效P型非极性AlN薄膜及其制备方法，包括从下至上依次设置的M面蓝宝石衬底层、非极性ZnO薄膜层、Ag纳米粒子层、非极性P‑AlN薄膜层、重掺杂非极性P‑AlN薄膜层、Pt纳米粒子层，本发明使用Ag纳米粒子作为掩膜，促进横向过生长，提高P‑AlN薄膜的质量，Ag纳米粒子具有局域表面离子体增强效应，可以大幅度提高P‑AlN的光效，相对现有技术提高至少8‑12倍；在P型非极性AlN薄膜表面使用Pt纳米粒子对P‑AlN进行二次增强，抑制缺陷发光；Pt纳米粒子与界面处的Ag纳米粒子形成二次反射镜面，可以在较大程度上提高薄膜的光提取效率；另外通过使用Mg、F共掺杂进一步提高P‑AlN薄膜的掺杂浓度和空穴浓度，提高器件的性能，其中空穴浓度相对现有技术提高至少3个数量级。

主权项

一种高光效P型非极性AlN薄膜，包括M面蓝宝石衬底层、非极性ZnO薄膜层、Ag纳米粒子层、非极性P‑AlN薄膜层、P‑AlN盖帽层、Pt纳米粒子层，所述的M面蓝宝石衬底层上生长有非极性ZnO薄膜层，所述的非极性ZnO薄膜层上端生长有Ag纳米粒子层，所述的Ag纳米粒子层上端生长有非极性P‑AlN薄膜层，所述的非极性P‑AlN薄膜层上端设置有P‑AlN盖帽层，所述P‑AlN盖帽层上端溅射有Pt纳米粒子层，其中，所述的P‑AlN盖帽层采用Mg、F共掺杂得到。