[发明专利]一种多晶硅生产原料及多晶硅生产方法在审
申请号: | 201711067237.1 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN107720755A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 王姗 | 申请(专利权)人: | 成都蜀菱科技发展有限公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司51258 | 代理人: | 何龙 |
地址: | 610000 四川省成都市新*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种多晶硅生产原料及多晶硅生产方法,属于多晶硅领域。晶硅生产方法利用来自三氯氢硅和氢气还原制备多晶硅的生产工艺中产生的还原尾气为原料制备多晶硅。多晶硅生产包括从还原尾气中回收含有三氯氢硅、四氯化硅以及二氯二氢硅的氯硅烷物料;调节氯硅烷物料中的三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的摩尔比为10.03~0.20.05~0.3以得到混合料;使氢气与混合料接触并发生还原反应。本发明提供的多晶硅制备方法能够充分利用在现有生产过程中产生的二氯二氢硅、四氯化硅,以提高多晶硅在反应炉中的沉积速度和产品质量,同时能有效的降低企业处理废弃物二氯二氢硅、四氯化硅的成本,减少硅的损耗,提高利用率。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 生产 料及 方法 | ||
【主权项】:
一种多晶硅生产方法,其特征在于,利用来自三氯氢硅和氢气还原制备多晶硅的生产工艺中产生的还原尾气为原料制备多晶硅,所述多晶硅生产方法包括:从所述还原尾气中回收含有三氯氢硅、四氯化硅以及二氯二氢硅的氯硅烷物料;调节所述氯硅烷物料中的三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的摩尔比为1:0.03~0.2:0.05~0.3以得到混合料;使氢气与所述混合料接触并发生还原反应,氢气与气态的所述混合料是按照1:3~10的预设摩尔比接触的,且所述预设摩尔比是:气态的所述混合料中的三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的总摩尔量与氢气的摩尔量之比。
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