[发明专利]一种多晶硅生产原料及多晶硅生产方法在审

专利信息
申请号: 201711067237.1 申请日: 2017-11-02
公开(公告)号: CN107720755A 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 王姗 申请(专利权)人: 成都蜀菱科技发展有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 成都超凡明远知识产权代理有限公司51258 代理人: 何龙
地址: 610000 四川省成都市新*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种多晶硅生产原料及多晶硅生产方法,属于多晶硅领域。晶硅生产方法利用来自三氯氢硅和氢气还原制备多晶硅的生产工艺中产生的还原尾气为原料制备多晶硅。多晶硅生产包括从还原尾气中回收含有三氯氢硅、四氯化硅以及二氯二氢硅的氯硅烷物料;调节氯硅烷物料中的三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的摩尔比为10.03~0.20.05~0.3以得到混合料;使氢气与混合料接触并发生还原反应。本发明提供的多晶硅制备方法能够充分利用在现有生产过程中产生的二氯二氢硅、四氯化硅,以提高多晶硅在反应炉中的沉积速度和产品质量,同时能有效的降低企业处理废弃物二氯二氢硅、四氯化硅的成本,减少硅的损耗,提高利用率。
搜索关键词: 一种 多晶 生产 料及 方法
【主权项】:
一种多晶硅生产方法,其特征在于,利用来自三氯氢硅和氢气还原制备多晶硅的生产工艺中产生的还原尾气为原料制备多晶硅,所述多晶硅生产方法包括:从所述还原尾气中回收含有三氯氢硅、四氯化硅以及二氯二氢硅的氯硅烷物料;调节所述氯硅烷物料中的三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的摩尔比为1:0.03~0.2:0.05~0.3以得到混合料;使氢气与所述混合料接触并发生还原反应,氢气与气态的所述混合料是按照1:3~10的预设摩尔比接触的,且所述预设摩尔比是:气态的所述混合料中的三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的总摩尔量与氢气的摩尔量之比。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都蜀菱科技发展有限公司,未经成都蜀菱科技发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711067237.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top